开关频率的最小值设为45kHz.为了留有余地,DC的输入电压范围从300V到430V。考虑到漏源电压的下降时间,MOSFET在工作状态下为300V输入电压所设的最大值为0.45.这样就确保了磁化电流的正确重置,以及漏源电压降到输入电压后,触发MOSFET导通。
  图2是根据输入电压和功率场效应晶体管技术的效率测量结果。每个以D-PAK封装的MOSFET都是最佳的Rds装置。SuperFET?技术为600毫欧姆,SupreMOS?技术为385毫欧姆。SupreMOSMOSFET由于其较小的开关损耗和在输出电容储存的能量不多,能够极大提高系统效率。对于整个输入电压范围来说,SupreMOS MOSFET至少能提高2%的效率。
图2 系统效率  使用热成像相机测量装置的操作温度。由于没有应用散热器在表面的安装装置中,确保操作温度在可接受的范围这一步骤就变得格外重要。如图3所示,在90V的输入电压,70摄氏度以下的条件下,所有的功率器件能够良好的工作。
图3 90V交流电的输入电压条件下,器件的温度。  总结: