


电流分布平均,发热降低,克服光衰切割边缘可以出射光子,光子提取率
电流小且分布均匀,可以使HV使晶粒做得更大,减少颗粒的使用数量,并提高亮度
电流分布均匀,由于内量子效率(IQE)提高,光提取率的上升,插座效率提高了10-15%,并且后期光衰也降低了
XTE 46V@22mA 3.45*3.45mm Tr=6.5℃/W Imax=66mA CCT@85,100-130lm XML 46V@44mA 5.0*5.0mm Tr=3.5℃/W Imax=125mA CCT@85,182-260lm
覆晶式结构无需打金线可以避免电极爬坡等技术难点






GaN禁带宽度大,是良好的肖特基二极管WB ACLED到肖特基管ACLED,效率从60%提高到73.6%





