图1. 因驱动-信号时序不匹配导致的击穿 驱动参数的变化以及半桥MOSFET栅极上寄生元件的变化都可能造成时序不匹配,并可能造成MOSFET的击穿和灾难性故障,如图1所示。击穿风险是LLC设计的开关频率的主要制约因素。
图2. HiperLCS典型应用电路 在HiperLCS IC中,输出高压MOSFET与驱动器、电平位移和控制器在单个硅片上紧密耦合。这样可精确控制整个驱动系统的变化,从而对所有寄生元件进行补偿。此外,在制造过程中会逐个器件调整死区时间和占空比匹配,并将占空比平衡到±1%的范围内。
图3. 在HiperLCS控制寄生效应中密切耦合的驱动器级和MOSFET